;   他们在光刻机领域都有着比较悠久的历史，新芯是如何实现的赶超呢？”

    林本坚说：“因为我们选择了正确的方向。

    我们采取的是和其他公司都截然不同的方向。

    在上世纪90年代末的时候，当时业内就提出了各种各样突破193nm波长的方案，其中包括157nm F2激光，电子束投射，离子投射、深紫外光和X光等等。

    其中X光、电子束投射、离子投射都太遥远了，属于是有这个想法，理论来说可行，材料学的现状决定了不现实，这些只是前置研究。

    最普遍的是157nm的F2激光，尼康、佳能、ASML都走的是这一技术路线。

    但是这一技术路线同样有一些难点要克服，比如说157nm波长的光会被193nm波长光源光刻机的镜片吸收，他们要重新研制镜片，光刻胶也要重新研发，他们要克服的困难比我们更多。

    我们采用的浸润法从方向上来说，可以是最简单的解决方案。我在和Newman讨论之后，确定了技术方向，然后朝着这一技术方向前进，没多久就实现了突破。”

    林本坚很自豪，记者则敏锐捕捉到了新闻热点，和周新相关的都是新闻热点，陈晓夏连忙问：“林博士，您刚刚提到了Newman，是我所理解的周新吗？”

    林本坚点头：“没错。”

    陈晓夏继续问：“您的意思是周新博士在其中也起到了作用对吗？”

    林本坚笑道：“他是老板，我们走的技术路线和其他公司都不一样，他得拍板干不干。

    我在和他介绍了我的想法，以及为什么我认为浸润法这一技术路线有戏之后，他当时立刻说好，我同意你的想法，于是我们进一步讨论了浸润法达成了一致，后面新芯开始把所有资源投入到浸润法的研发中。

    我们顺利在今年年中的时候完成了验证，现在新芯的浸润式光刻机已经开始进入到我们的生产环节中去了。”

    陈晓夏下一个问题有些敏感：“我们都知道因为瓦森纳协定的缘故，华国的半导体企业一直都无法实现最先进的半导体制程。

    一般最少比国外的最先进制程落后一代，上世纪九十年代初的时候甚至落后2.5代。

    我想问问新芯实现了光刻机技术的突破后，是否意味着我们不会被瓦森纳协定所限制，华国的企业能够借助新芯的光刻机设备实现比国外还要更先进的芯片制程了呢？”

    林本坚想了想然后说：“光刻机只是芯片制造环节中比较重要的一部分，但是不是唯一的环节。

    芯片制造还涉及到原材料、清洗设备、薄膜沉积设备、热处理设备等等。

    光刻机的突破能够提高华国半导体生产企业的上限，但是是否能做到和国外同等的芯片制程我不确定。

    这需要看后续实际生产过程中，华国国产设备在其中的表现。”

    新芯内部有讨论过，能不能借助光刻机的技术突破，让瓦森纳协定解除对半导体设备的出口管制。

    他们还没有开始行动，不确定能搞定。

    周新有一定把握，但是得抓住时间窗口，08年以后这件